# Перовскит/кремний тандемді элементтер: 8нм ITO қосылымы > Ультра жұқа 8 нм ITO қосылым қабаты NiOx және Poly-SAM функционалдауымен біріктіріліп, 31.80% үздік тиімділік пен 96% сақталуды қамтамасыз етеді ![Перовскит/кремний тандемді элементтер: 8нм ITO қосылымы](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260720/a9d3b778254af3ce0287f6a638fe5c28.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-20 - ** 326 Көру - ** [Блог](./Blog.html) ## Перовскит/кремний тандемді элементтер: 8нм ITO қосылымы **Қысқа жауап:** Монолитті перовскит/кремний тандемді ұяшықтар перовскитті жоғарғы өткелді тікелей кремний төменгі өткеліне орналастырады, олардың арасында жұқа мөлдір байланыстырғыш қабат бар. Бұл байланыстырғыш — инженерлік түйін: ол токты бір өткелден екіншісіне өткізуі, төменгі ұяшыққа қажет толқын ұзындықтарында оптикалық мөлдір болып қалуы және үстіндегі қабаттарды өңдеуге төтеп беруі керек. Бұл жұмыста байланыстырғыш — қалыңдығы шамамен 8 нм индий қалайы оксиді қабаты, ол 15 нм, 30 нм, 110 нм қабаттарын және 600 нм аймағын қамтитын стек ішінде орналасқан, ал құрылғының басқа жерінде 10 µm өлшемді элемент бар. Пайдаланылған өлшеулер көрінетін толқын ұзындықтарын көк жағынан бастап жақын инфрақызылға дейін қамтиды. Қабат тек бірнеше нанометр болғандықтан, оның үздіксіздігі мен легирленуі қалыңдығы сияқты маңызды. PV модуль өндірісі · Jerry, Ooitech ## Өнім туралы ақпарат Монолитті перовскит/кремний тандемді күн элементтері бір қосылысты құрылғылардың тиімділік шегінен өтудің ең айқын жолдарының бірі болып табылады. Жоғарғы элемент пен төменгі элемент рекомбинациялық өзара байланыс қабаты арқылы тізбектей жалғанады, және бұл интерфейстің қаншалықты жақсы болуы тасымалдаушылардың тегіс тасымалдануы мен рекомбинациялануын анықтайды. Қиындық кремний гетероқосылысты (SHJ) төменгі элементінің микро-пирамидалы текстураланған бетінде жатыр. Пирамидалардың биіктігі шамамен 600 нм, және бұл жерде рекомбинациялық қабат оптикалық паразиттік жоғалтуға ұшырайды, ал өздігінен құрастырылатын моноқабат (SAM) ешқашан біркелкі таралмайды. Уақыт өте келе бұл құрылғының өнімділігін төмендетеді. Бұл жұмыс 2-ден 30 нм-ге дейінгі қалыңдықтағы индий қалайы оксиді (ITO) өзара байланыс қабаттарын өлшеді және 8 нм ультра жұқа қабат бірден екі фронтта ең жақсы жұмыс істейтінін анықтады: оптикалық жоғалтуды азайту және беттік потенциалдың біркелкілігін жақсарту. NiOx модификациясы мен Poly-SAM функционализациясы үстіне қосылғаннан кейін, қысқа тұйықталу ток тығыздығы 0,85 мА см⁻²-ге өсіп, 20,82 мА см⁻²-ге жетті, қуатты түрлендіру тиімділігі 31,80% құрады, ал 500 сағаттық максималды қуат нүктесін бақылаудан кейін құрылғы бастапқы тиімділігінің 96% сақтады. ## Эксперименттік Әдіс SHJ төменгі элементі n-типті кремний пластиналарын, қалыңдығы 110 ± 10 мкм, KOH екі жақты текстураланған пирамидаларға (биіктігі шамамен 600 нм) пайдаланды. RCA тазалаудан кейін PECVD пассивация және допирленген қабаттарды ретімен тұндырды: алдыңғы жағы 8 нм ішкі a-Si:H(i) плюс 15 нм n-типті nc-SiOx:H(n) алды, артқы жағы 8 нм p-типті a-Si:H(p) алды, содан кейін 110 нм ITO шашыратылды және 700 нм Ag буландырылды. Алдыңғы жағында алты ITO өзара байланыс қалыңдығы бөлек тұндырылды: 2, 5, 8, 10, 20 және 30 нм, 180°C температурада күйдірілді және лазермен сызылды. Перовскиттің жоғарғы ұяшығы осы жолмен жүрді. Төменгі ұяшық алдымен күйдіріліп, УК-озонмен өңделді, содан кейін NiOx магнетронды тозаңдату арқылы тұндырылды, одан кейін тағы бір күйдіру және УК-озон кезеңі жүргізілді. Азотты қолғап қорабында Poly-SAM айналдыра жабындымен (0.5 мг мл⁻¹, еріткіш метанол және хлорбензол 1:1 қатынасында) жабылып, 100°C температурада күйдірілді. Перовскит Cs₀.₀₅FA₀.₈MA₀.₁₅Pb(I₀.₇₅₅Br₀.₂₅₅)₃ болды, 1.68 эВ тыйым салынған аймағымен, екі кезеңде айналдыра жабындымен жабылды, жоғары жылдамдықты кезеңде хлорбензол антиеріткіш ретінде тамшылатылып, 100°C температурада 20 минут бойы күйдірілді. Беті PDADI көмегімен түзетілді, содан кейін C₆₀ термиялық булану арқылы, SnO₂ ALD арқылы өсірілді, 45 нм IZO тозаңдатылды, Ag электродтары буланып, соңында MgF₂ шағылысуға қарсы пленка қабатын жапты. ## Техникалық артықшылықтар ### ITO байланыстырушы қабатының оптоэлектрондық қасиеттері (a) Rsh, Ne және µ қалыңдыққа қарсы (n = 10); (b) ITO қабатының оптикалық жұтылуы және шағылысуы; (c) жұмыс функциясы қалыңдыққа қарсы; (d) NiOx өңдеуінен кейін әртүрлі қалыңдықтардағы жұмыс функциясының ығысуы (ΔWF); (e) NiOx-модификацияланған ITO-дағы SAM таралуының схемалық суреті; (f) 2–30 нм байланыстырушы ITO-ның KPFM беттік потенциал карталары; (g) NiOx және Poly-SAM функционализациясына дейін және одан кейін 8 нм байланыстырушы ITO-ның KPFM беттік потенциал карталары. Холл эффектісінің өлшеулері пленка қалыңдығы артқан сайын беттік кедергінің төмендейтінін көрсетті, бұл күтілетін нәтиже. Тасымалдаушы концентрациясы 8-ден 30 нм-ге дейін шамамен 2.8-ден 3.5 × 10²⁰ см⁻³-ге дейін тұрақты болды, бірақ 8 нм-ден төмен түскенде төмендей бастайды. Қозғалғыштық 2-ден 8 нм-ге дейінгі тар терезеде аздап төмендеді, бұл пленка тұтастығының сақталғанын көрсетеді. 8 нм дәл беттік кедергі жеткілікті төмен және электрлік өнімділік әлі нашарламаған оңтайлы нүктеге келеді. (a) Текстураланған c-Si төменгі ұяшығының бетіндегі ITO қабатының O 1s жоғары ажыратымдылықтағы XPS спектрінің шыңға сәйкестендірілгені. (b) NiOx модификациясына дейін және одан кейін текстураланған c-Si төменгі ұяшығындағы 8 нм ITO қабатының жоғары ажыратымдылықтағы XPS спектрлері. (c) Текстураланған c-Si төменгі ұяшығындағы 8 нм ITO қабатының көлденең қимасының SEM кескіні. (d) 8 нм ITO үлгісінің фокусталған аймағының сәйкес EDS элементтік карталары, жоғарғы оң жақта түс-элемент белгісімен. Оптикалық тұрғыдан, ITO-ны жұқарту 450 нм-ден жоғары шағылысуды да, жұтылуды да төмендетті, бұл деструктивті интерференция және әлсіз еркін тасымалдаушы жұтылуының арқасында. - UPS жұмыс функциясы қалыңдық азайған сайын өсетінін көрсетті, ал NiOx модификациясы мен күйдіруден кейін жұмыс функциясының ығысуы 8 нм-де шыңға жетті. - KPFM аудандық сканерлеуі 10 нм-ден төмен ITO барлық жергілікті шунт нүктелерін басып тастағанын, ал 8 нм ең жақсы біркелкілікті бергенін анықтады. - XPS қызықты детальді ашты: 8 нм ITO бетінде 20 нм-ге қарағанда гидроксил тығыздығы жоғары болды және бұл гидроксилдер NiOx-пен In─O─Ni көпір байланыстарын құрып, NiOx-тың біркелкі таралуына және берік жабысуына мүмкіндік берді. Модификациядан кейін In сигналы толығымен жойылды, бұл жабын қабатының сапасы өте жақсы болғанын және кейінгі SAM өздігінен құрастырылуына жақсы негіз қалағанын көрсетеді. - SEM және EDS 8 нм ITO текстура үстінде конформды жабын бергенін растады. ### Тандемдік ұяшықтың фотоэлектрлік өнімділігі (a) Перовскит/кремний тандемдік ұяшықтарындағы Jsc өзгерісі; (b) Voc өзгерісі; (c) FF өзгерісі; (d) PCE өзгерісі; (e) ITO-дағы тандемдік ұяшықтың көлденең қима SEM кескіні; (f) ITO-дағы перовскит пленкасының XRD үлгісі; (g) ITO-дағы перовскит пленкасының тұрақты күйдегі PL спектрі; (h) нормаланған тұрақты күйдегі PL қисықтары; (i) ITO-дағы перовскит пленкасының өтпелі TRPL ыдырау спектрлері; (j) Тандемдік ұяшықтың фотолюминесценция кескіні, белсенді ауданы 0.928 см². Барлық алты ITO өзара байланыс қалыңдығы J-V сынағынан өтті. - 5 нм-ден төмен Voc және FF қатты төмендеді. Voc 1.7 В-тан асыра алмады және PCE небәрі 21.68% болды, бұл негізінен пирамидалық текстурада пленканың үздіксіз болмауына байланысты. - 8 нм ең жақсы жауап болды. Көлденең қима SEM ультра жұқа ITO-да (10 нм-ден төмен) перовскит дәндерінің үлкенірек және тығызырақ екенін көрсетті, ал XRD жақсартылған кристалдық сапаны растады, бірақ 5 нм үлгісі PbI₂ шыңын көрсетті, бұл деградацияның басталғанының белгісі. Тұрақты күйдегі PL қарқындылығы 30 нм-ден 8 нм-ге дейін өсті, содан кейін қайта төмендеді, сондықтан 8 нм ең төмен ақау тығыздығына сәйкес келетін шыңда орналасты. - Нормаланған PL сипаттамалық шыңы жылжымады, яғни интерфейстік радиациялық емес рекомбинацияның сипаты өзгеріссіз қалды. TRPL тасымалдаушылардың өмір сүру ұзақтығы да 8 нм-де ең ұзын болды. Бұл нәтижелер Poly-SAM әкелетін күштірек таза диполь және біркелкі жұмыс функциясына байланысты, бұл Voc және FF-ті бірге көтереді. PL бейнелеу сонымен қатар перовскит суб-ұяшығы ішінде суб-микрондық біркелкі еместікті анықтады, бірақ ультра жұқа жоғары кедергілі ITO қабаты жоғары көлденең кедергіге ие, сондықтан жергілікті шунттау әсері тиімді түрде шектелді және бүкіл құрылғыны төмендетпеді. ### Ток тығыздығын жақсарту (a) Перовскит және кремний ішкі элементтерінің 8 нм ITO өзара байланыс қабаты кезіндегі EQE қисықтары; (b) Бастапқы және оңтайландырылған тандемдік элементтердің EQE қисықтары. Алдыңғы IZO қабаты Aw × Rsheet⁻¹ сапа көрсеткіші бойынша бағаланды, және 45 нм ең жақсы нәтиже көрсетті. Өзара байланыс ITO қабатын 20 нм-ден 10 нм-ге, содан кейін 8 нм-ге дейін жұқарту орташа Jsc мәнін 19.78-ден 19.96-ға, одан 20.55 мА см⁻²-ге дейін арттырды. Перовскит және кремний ішкі элементтерінің EQE-интеграцияланған ток тығыздықтары сәйкесінше 20.64 және 20.51 мА см⁻² құрады, бұл J-V деректеріне сәйкес келеді. 20 нм ITO-мен салыстырғанда, 8 нм перовскит ішкі элементіне қосымша 0.06 мА см⁻², ал кремний ішкі элементіне қосымша 0.47 мА см⁻² берді, ең көп өсім кремний төменгі элементінің жақын инфрақызыл үлесінде байқалды. ## Өнімді қолдану ### Құрылғы өнімділігі және тұрақтылығы (a) Перовскит/кремний тандемдік күн элементінің схемалық құрылымы және фотографиясы; (b) Тандемдік элементтің көлденең қимасының SEM суреті; (c) Бір қосылысты перовскит және кремний ішкі элементтерінің J-V қисықтары; (d) Жоғары өнімді элементтің репрезентативті J-V қисығы; (e) 30 нм-ден 2 нм-ге дейінгі ITO өзара байланыс қабаттарындағы перовскит/кремний тандемдік элементтерінің Rs өзгеруі; (f) 1 күн жарықтандыру кезіндегі инкапсуляцияланған тандемдік элементтің MPPT сынақ нәтижелері. ITO өзара байланыс қалыңдығы оңтайландырылғаннан кейін, тандемдік құрылғылардың орташа PCE мәні 28.64%-дан 30.67%-ға дейін өсті. 2 нм ITO кезіндегі сериялық кедергі Rs 41.26 Ом-ға дейін жетті, сондықтан сериялық қосылыс негізінен үзілді. 8 нм кезіндегі Rs әлдеқайда төмен болды, ішкі кедергі төмендеді және максималды қуат нүктесіне жақын жердегі кернеу жоғалуы азайды. Тұрақтылық бойынша, 8 нм ITO тандемдік элементі 500 сағат MPPT-ден кейін бастапқы PCE-нің 96% сақтады, ал 20 нм элемент тек 90% сақтады, бұл оны TCO/SAM өзара байланыс тобындағы ең тұрақтылардың біріне айналдырды. Неге сонша тұрақты? Поли-SAM жабыны жоғары, және перовскит кристалдануы онымен бірге жақсарады. SAM қамтитын аймақтардың беттік энергиясы төмен, ал фосфон қышқылы топтары Pb²⁺ және FA⁺-мен үйлесіп, перовскиттің баяу және ретті өсуіне бағыт береді, нәтижесінде түйіршіктер үлкен болады. Жалаңаш ITO аймақтарында мұндай үлгі эффектісі жоқ, ядро түзілу жылдам және ретсіз жүреді, ал түйіршіктер көптеген түйіршік шекараларымен кішкентай болады. Сонымен қатар, Poly-SAM интерфейстегі қанықпаған байланыстар мен галогендік бос орындарды пассивациялайды, галоген миграциясы басылады және деградация баяулайды. Өте жұқа ITO-ның өзі әкелетін біркелкі беттік потенциал да көмектеседі, және бірнеше факторлардың жиынтығы құрылғының қызмет ету мерзімін арттырады. Мұндағы MPPT тұрақтылық сынағы 3A+ дәрежелі жарықдиодты шамды қартаю жарық көзі ретінде пайдаланады, ол ұяшық температурасын және қоршаған атмосфераны бірнеше тәсілмен басқарып, ұзақ мерзімді тұрақтылық сынағын жүргізе алады. [Ажыратқыш қорап элемент тізбегінен электрлік шығысты жинайды және модуль мен сыртқы PV жүйесі арасындағы қосылымды қамтамасыз етеді. Ол](https://www.ooitech.com/solar-panel-tester-sun-simulator-otmt-a-aaa-class-solar-module-iv-tester-ooitech.html) of 3A+ grade as the aging light source, which can control cell temperature and the surrounding atmosphere in several ways to run long-term stability testing. ## Қорытынды және болашаққа көзқарас 8 нм перовскит/кремний тандемді ұяшықтар үшін оңтайлы ITO өзара байланыс қалыңдығы болып табылады. Бұл қалыңдық перовскиттің кристалдық сапасын көтереді және паразиттік сіңіруді төмендетеді. NiOx модификациясынан және Poly-SAM функционализациясынан кейін беттік потенциал біркелкі болады және жұмыс функциясының ығысуы айқынырақ болады. 8 нм ITO бетінде көбірек гидроксилдер болады, NiOx біркелкі таралады, SAM тығыз оралады, ал текстура үстіндегі конформды жабын SEM және EDS арқылы расталды. Кәдімгі 20 нм ITO-мен салыстырғанда, оңтайландырылған құрылғы 31.80% рекордтық тиімділікке қол жеткізді, Jsc 0.85 мА см⁻²-ге артты және 500 сағат MPPT-дан кейін бастапқы тиімділіктің 96% сақталды. Алдағы уақытта әлі де жақсартуға көп нәрсе бар. Артқы текстура мен оптикалық рефлекторды кремний төменгі ұяшығындағы жарық тұзағын күшейту, оның тогын арттыру және ток сәйкестігін дәлдеу үшін одан әрі жетілдіруге болады. FF және Voc жалпы тиімділікті шектейтін негізгі кедергілер болып қалады, сондықтан контактілі пассивация стратегияларын тереңдету қажет. Кремний негізіндегі туннельдік өткелдер сияқты балама өзара байланыс архитектураларын да сынап көру керек. Өндіріске масштабтау кезінде TCO қалыңдығы мен металдандыру торының дизайнын бірге реттеу керек, сонда үлкен аудандарда көлеңкелеу тым ауыр болмайды және бүйірлік өткізгіштік зардап шекпейді. Ал жұқа қабатпен индий қолданылуы азаяды, сондықтан тұрақтылық та пайда көреді. ## Ooitech көзқарасы Мұнда ерекше назар аударатын нәрсе - ITO-ның бірнеше нанометрі 600 нм пирамидалық текстурада оптиканы да, кристалдануды да өзгерте алады және дәл осы конформды жабу мәселесі тандемдік желілер зертханалық үлгілерден толық өлшемді модульдерге ауысқанда пайда болады. Өндіріс алаңында таббер-стрингер, жинау және ламинациялау кезеңдері осы нәзік интерконнект және SAM интерфейстерін ескеруі керек, сондықтан біркелкі, жақсы бапталған модуль желісінің жабдығы өз құндылығын көрсетеді. Бұл процестердің нақты зауыт масштабында қалай көрінетінін білгіңіз келсе, Ooitech YouTube арнасы [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) - қарауға тұрарлық. Қатысты: [Перовскит ғарышта: 100 термиялық соққы циклі қаншаға түседі](https://www.ooitech.com/martin-greens-team-stop-falling-for-the-perovskite-in-space-hype-20-loss-after-just-100-cycles.html) бір абсорберлер тобын термиялық соққы арқылы емес, өзара байланыс дизайны арқылы қарастырады. ## Қосымша оқу және негізгі деректер Осы тақырып бойынша саланың технологиялық жол картасы мен нарықтық деректерін жүргізетін ұйымдар жариялаған қоғамдық анықтамалық материалдар: - [VDMA — Фотовольтаика бойынша халықаралық технологиялық жол картасы (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — Фотовольтаика туралы есеп](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — жаһандық PV индустриясының жаңалықтары мен техникалық шолуы](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### Тегтер : ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Баға ұсынысын сұрау Барлық жүктеулер қауіпсіз және құпия. ## Біз жеткіземіз сенімді сараптама біздің қызмет Зауыттан тікелей жабдық. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Шығынды үнемдейтін артықшылықтар Біз ерекше құндылықты ұсынамыз, нәтижелерді барынша арттыра отырып, клиенттердің бюджетін оңтайландырамыз. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Біздің тәжірибелі команда Біздің білікті мамандар инновациялық шешімдер мен бейімделген стратегияларға маманданған. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ жыл салалық тәжірибе Терең сараптама сенімді, трендтерді ескеретін және дәлелденген нәтижелерді қамтамасыз етеді. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Біздің клиенттеріміз не дейді біз туралы Клиенттердің пікірлері біздің олардың қиындықтарын терең түсінетінімізді мақтайды, бұл инновациялық шешімдерге және жоғары ROI-ге әкеледі. Он жылдан астам уақытқа созылған ұзақ мерзімді ынтымақтастық олардың сенімі мен қанағаттануын көрсетеді. Олардың табыс тарихы бізді үнемі күтуден асып түсуге итермелейді. [Көбірек білу **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ooitech компаниясына өте қолайлы BC күн батареясының эксперименттік жабдығын ұсынғаны үшін алғыс. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Үлкен жанды адам. Сіздің келуіңіз үшін көп рахмет, мырза Ву. Жабдықты орнату және студенттерімді оқыту бойынша көрсетілген қызметтер үшін көп рахмет. Ең мейірімді адам және өз саласының кәсіби маманы ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Жизақ политехникалық институты ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Зауытты жақсарту және жөндеу, сондай-ақ жұмысшыларға машиналарды қолдануды үйрету үшін көрсеткен үлкен көмегіңіз үшін тағы да көп рахмет. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Марк BIPV Филиппин ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ooitech компаниясының кәсіби қолдауы мен уақтылы қызмет көрсетуі үшін рахмет. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Африкадан келген Диарра ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Толық автоматтандырылған өндірістік жабдықты ұсынғаны үшін Ooitech компаниясына рахмет — сіздің орнату және сатудан кейінгі қызметіңіз тамаша болды. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Амжад ## Біздің соңғы өнімдер ![C350-SZM ленталы шиналық иілу кесу машинасы: 2-8мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032780265832.webp) - [** Rachael](./PV-Bus-Door-Glyph-Bend-Cutting-Machine-C350-SZM-Advanced-Solar-Module-Interconnect-Forming-Equipment.html) - [** 46957](./PV-Bus-Door-Glyph-Bend-Cutting-Machine-C350-SZM-Advanced-Solar-Module-Interconnect-Forming-Equipment.html) ### C350-SZM ленталы шиналық иілу кесу машинасы: 2-8мм C350-SZM busbar иілу кесу машинасы – қалайыланған мыс busbarлар үшін бағдарламаланатын жалғыз/қос иілу. Қос шыны & қолдайды ![Жолдарды жалғау: күн панелінің шиналық таспасына арналған бағыттаушы](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713037538.jpg.webp) - [** Rachael](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) - [** 96974](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html) ### Жолдарды жалғау: күн панелінің шиналық таспасына арналған бағыттаушы Күн модульдерін жинауға арналған премиум өзара қосылу шинасы шешімдері, жоғары тазалықтағы қалайыланған мыс құрылымымен ![XJCM-13A+ Күн модулінің IV тестері: A+ класы, 25с](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp) - [** Rachael](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) - [** 67670](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html) ### XJCM-13A+ Күн модулінің IV тестері: A+ класы, 25с XJCM-13A2615 IV тестері – A+A+A+, 2600×1500mm, PERC, HJT, TOPCon және IBC үшін 10–100ms импульс. Сыйымдылық әсерін жояды. IEC 60904-9:2020 стандартына сәйкес. ![Robot String Cell Layup HS-PBR: 5с/жол, ±0.3мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774338062497258.webp) - [** Rachael](./robot-string-cell-layup-machine-hs-pbr-automated-solar-module-layup-system-ooitech.html) - [** 67727](./robot-string-cell-layup-machine-hs-pbr-automated-solar-module-layup-system-ooitech.html) ### Robot String Cell Layup HS-PBR: 5с/жол, ±0.3мм Ooitech HS-PBR Robot String Cell Layup Machine ±0,3 мм дәлдікпен және әр цикл үшін ≤5 с уақытпен жоғары дәлдіктегі автоматтандырылған стрингтік элементтерді орналастыруды қамтамасыз етеді ![Бұзылмайтын күн батареяларын лазерлік кесуге арналған станок](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47389](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Бұзылмайтын күн батареяларын лазерлік кесуге арналған станок Кәсіби бұзылмайтын күн батареяларын лазерлік кесуге арналған GYM-HP8000 станок TCS технологиясымен, 7600 дана/сағ өнімділікке және 0,03% сыну деңгейіне қол жеткізеді ![Күн батареясын лазерлік кесу машинасы — OLS-20E қос лазер](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026031858869524.webp) - [** ooitech](./OLS-20E-Full-Automatic-Solar-Cell-Laser-Scribing-and-Breaking-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Manufacturing-Equipment.html) - [** 27193](./OLS-20E-Full-Automatic-Solar-Cell-Laser-Scribing-and-Breaking-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Manufacturing-Equipment.html) ### Күн батареясын лазерлік кесу машинасы — OLS-20E қос лазер Шинглді ұяшықтарға арналған күн батареясын лазерлік кесу машинасы: OLS-20E екі лазерлік бастиегімен жұмыс істейді, автоматты 1/4 үзіліспен, MBB-де кесу кертігінің жоғалуы мен микро-жарықтарды азайтады.