# Көп бөлікті күн батареяларын қалай жақсы кесуге болады?

> Сучжоу университетінің Nano Energy зерттеуі 20 жылдық салалық түсінікті жоққа шығарады: төмен зақымдайтын кесу кезінде p-n ауысу жағы шын мәнінде жинайды

![Көп бөлікті күн батареяларын қалай жақсы кесуге болады?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260805/15ce62ff44f3df3b9754e60099c852f1.webp)

- ** 2026-08-05
- ** 175 көру
- ** [Блог](./Blog.html)

## Көп бөлікті күн батареяларын қалай жақсы кесуге болады?

**Қысқа жауап:** Толық ұяшықты екіге, үшке немесе одан да кіші бөліктерге кесу әр жолақ өткізетін токты азайту арқылы модуль қуатын арттырады, бұл таспадағы резистивтік шығынды төмендетеді. Пайда жолақ кішірейген сайын азаяды, ал механикалық шығын артады. Үш тәсіл басым. Лазерлік сызу, содан кейін механикалық сындыру — ең жылдам және ең аз термиялық жүктеме әкеледі, бірақ сыну жиегінің сапасы сызу тереңдігіне байланысты. Лазерлік толық кесу ұяшықты тек сәулемен бөледі және төмен жылдамдықта таза жиек береді. Термиялық лазерлік бөлу лазерді салқындату қадамымен біріктіреді, сондықтан жарықшақ бақыланатын жол бойымен таралады. Тиісті өлшемдер 532 нм лазер толқын ұзындығынан бастап 1 µm және 20 µm-ге жуық өлшемдерден 100 µm-ге дейін созылады, ал жолақ кернеуі төмен — шамамен 0,55 В — сондықтан пайда кернеуден емес, кедергіден келеді.

PV модуль өндірісі · Jerry, Ooitech

## Кіріспе

TOPCon"p-n ауысуының ішкі электрлік мінез-құлқын" зерттеу үшін алдымен күрделі мәселені шешу керек. Дәстүрлі әдіс қайта балқыған және қайта қатайған қабатты, сондай-ақ микрожарықтар мен шеті бойындағы термиялық зақымдануларды қалдырады, және мұның бәрі p-n ауысуының байқалуын және беттік рекомбинация мінез-құлқын бұрмалайды. Топ басқа жолды таңдап, кремний кристалдарының анизотропты жарылу табиғатын пайдаланып, "45° айналмалы жару" әдісін ұсынды:

Модуль қуатын арттыруға ұмтылып, инженерлер үлкен элементті 1/2, 1/3 немесе одан да көп "кішкентай элементтерге" кесіп, содан кейін оларды модуль ішінде тізбектей және параллель қайта қосады. Мәселе токты азайту және резистивті қуат шығынын қысқарту. Бірақ әрбір кесу элемент шетінде пассивацияланбаған "жарақат" қалдырады. Бұл жарақаттар тасымалдаушы тұзақтарына айналады және олар ашық тізбек кернеуіне (Voc) және толтыру коэффициентіне (FF) әсер етеді. Кіші элемент неғұрлым кіші болса, бұл шеткі рекомбинация шығыны соғұрлым көп зиян келтіреді.

Бүгінгі таңдағы ең көп таралған салалық әдіс, "лазерлік сызу + механикалық сындыру" (L&C), кесу бойымен ауыр термиялық зақым қалдырады. Және жылдар бойы сала бір нәрсеге келісті: p-n өткел жағынан сызу ең көп зақым келтіреді, сондықтан "p-n өткел жағы шеткі шығынның негізгі кедергісі". Бұл сенім "n-n+ жағынан сызу арқылы p-n өткелді қорғау" стандартты тәсілін тудырды.

Бірақ бұл кеңінен қабылданған "ақыл-парасат" шынымен p-n өткелдің ішкі электрлік мінез-құлқын көрсете ме? Әлде бұл жай ғана лазер жылуының жасанды нәтижесі ме?

## Негізгі тұжырым: Консенсусты бұзатын ішкі электрлік мінез-құлық

Сучжоу университетінің FUNSOM институтындағы зерттеу тобы Nano Energy журналында олар "45° айналмалы сындыру" деп атайтын жаңа төмен зақымдану кесу әдісін қолдана отырып жұмыс жариялады. Бұл лазердің термиялық зақымдануын шебер болдырмайды және p-n өткел шетінің нақты ішкі электрлік мінез-құлқын зерттейді. Қорытынды саланы таң қалдырды:

Төмен зақымдану кесу кезінде p-n өткел жағындағы шеткі тасымалдаушы жинау тиімділігі n-n+ жағына қарағанда жоғары. Қарапайым тілмен айтқанда: p-n өткел жағынан сызу - ең жақсы өнеркәсіптік стратегия. Бұл жиырма жылдық қабылданған тәжірибені түбегейлі өзгертеді.

## Элемент шетін зақымдамай қалай ашуға болады

To study the "intrinsic electrical behavior of the p-n junction", you first have to solve a nasty problem. Traditional [лазерлік кесу](https://www.ooitech.com/SC-20P-Automatic-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-High-Precision-BC-Cell-Processing-Equipment.html) leaves a re-melted and re-solidified layer, plus microcracks and a pile of thermal damage along the edge, and all of that muddies any observation of the p-n junction and the surface recombination behavior. The team went a different way, using the anisotropic cleaving nature of silicon crystals to propose a "45° rotational cleaving" method:

Бірінші қадам: пластинаны жазықтықта 45°-қа айналдыру.

Екінші қадам: алмас сызғышпен (100) жазықтығында таяз сызық сызу.

Үшінші қадам: {110} жазықтықтар тобы бойымен жарып, атомдық деңгейде тегіс, жылу зақымданбаған көлденең қима алу.

Осылай алынған жиек көлденең қимасы өзінің құрылымдық және электрлік тұтастығын сақтайды. Микрометрлік ажыратымдылықтағы фотоэлектрлік кернеу бейнелеу әдісімен біріктіріп, p-n өткеліне зақым келтірмей, жиек маңындағы электрлік мінез-құлықты нүктелік сканерлеуге болады.

Тәжірибеде 532 нм лазер (ену тереңдігі шамамен 1.3 мкм) қолданылды, 50× объектив астында шамамен 1 мкм кеңістіктік ажыратымдылыққа жетті, бұл жиектен ондаған микрометр ішіндегі фотоэлектрлік кернеу әлсіреу мінез-құлқын түсіруге жеткілікті.

## Тәжірибелік нәтижелер

1-сурет. Кесудің p-n өткелінің тұтастығына әсері (a, b), 45° айналдырып жару әдісінің схемасы (c, d) және үш жоғары тиімді ұяшық құрылымының схемалары (e-g).

1a-суретте дәстүрлі L&C процесінің p-n өткелі жағында сызу көрсетілген: алдымен лазер ұяшық бетінде ойық жасайды (Laser mark), содан кейін механикалық күш ұяшықты бөліп тастайды. 1b-сурет - L&C кесуінен кейінгі жиектің SEM көлденең қимасы. Қиманың екі аймаққа бөлінгенін анық көруге болады. Жоғарғы бөлігі «лазерлік абляция аймағы», айқын қайта балқытылған және қайта қатайтылған морфологияны көрсетеді. Төменгі бөлігі «кернеумен бөлінген аймақ», механикалық күшпен жыртылған, көптеген ретсіз микрожарықтар мен балқыту шұңқырларын қалдырады. Дәл осы жылу зақымдануы ағып кету тогының секіруіне және ұяшық өнімділігінің төмендеуіне әкеледі.

Айта кету керек: лазер p-n өткелі жағында сызғанда, p-n өткелінің өзі жылумен толығымен бұзылады. Сондықтан өнеркәсіп әрқашан көрген «p-n өткелі жағы шеткі шығынның кедергісі» деген «құбылыс» шын мәнінде жылу зақымдануының жасанды нәтижесі.

1c-суретте осы жерде ұсынылған 45° айналдыру арқылы жару әдісі көрсетілген: пластинаны жазықтық ішіндегі ось бойымен 45°-қа бұрап, (100) жазықтығын алмаз сызғышпен сызып, содан кейін {110} жару жазықтығы бойымен жыртады. 1d-сурет - жарылған жиектің SEM кескіні, масштаб сызығы 20 мкм. Көлденең қима өте тегіс және таза, ешқандай балқу ізі жоқ, p-n өткелінің құрылымы мен электрлік тұтастығын толық сақтайды. Бұл «ішкі мінез-құлықты» зерттеудің кілті.

Бұл жұмыс үш негізгі n-типті жоғары тиімді ұяшық технологиясын қарастырады: TOPCon, SHJ және TBC. Олардың ортақ белгісі бар. n-типті c-Si субстратында олар p-n өткелін (гомо- немесе гетероөткел) және n-n+ жоғары-төмен өткелін қоса алып жүреді. Сондықтан олардың жиек мінез-құлқын зерттеу нақты өнеркәсіптік өндіріске тікелей бағыт береді.

2-сурет. TOPCon, SHJ және TBC ұяшықтарының алдыңғы жақ жиегінің фотоэлектрлік талдауы.

2a-суретте 532 нм лазердің ұяшықтың алдыңғы бетінің жиегінен ішке қарай сканерлеуі көрсетілген, XY дәлдіктегі сатымен және электр күшейткішпен жұмыс істеп, фотоэлектрлік сигналды нақты уақытта жазып, соңында 2D фотоэлектрлік карта құрады. 2b-сурет - TOPCon, SHJ және TBC (солдан оңға) алдыңғы жақ фотоэлектрлік кескіні. Ашық түс жоғары фотоэлектрлік кернеуді білдіреді. Үш ұяшықта да жиектен ~100 мкм ішінде айқын «градиент жолағы» көрінеді, жиекке жақындаған сайын фотоэлектрлік кернеу төмендейді. Бұл жиек рекомбинациясының жоғалуының тікелей дәлелі.

Үшеуін салыстырғанда: TOPCon ең жоғары фотоэлектрлік кернеуге ие (0.40–0.55 В) және ең жылдам қанығады. TBC ең төменгі (0.36–0.49 В) және ең баяу төмендейді, яғни оның жиек рекомбинациясы ең нашар. Бұл нәтиже «p-n өткелі шектеуші фактор» деген жалпы түсінікке қайшы келеді, өйткені алдыңғы жағы (жарық түсетін жағы) әдетте p-n өткелі орналасқан жер.

2c-сурет 2b-суреттегі қара үзік сызық бойымен алынған фотоэлектрлік кернеу профилін қалыпқа келтіреді. Үш қисық та «жиекте төмен, үстіртте жоғары» көрсетеді, бірақ қанығу жылдамдығы (жиек рекомбинациясының ұзындығын көрсетеді) айқын ерекшеленеді:

- TOPCon: ең қысқа төмендеу аймағы, шамамен 100 мкм ішінде қанығуға жақын, ең аз жиек жоғалуы.
- SHJ: орташа төмендеу аймағы, ~200 мкм-де қанығуға жақын.
- TBC: ең баяу қалпына келу, толық қанығуға дейін ~500 мкм-ге дейін созылады, ең нашар жиек жоғалуы.

2d-сурет айырмашылықтардың физикасын түсіндіреді. Фототуындаған тесік екі нәрсенің бірін жасайды: электродқа жиналады немесе жиекке дрейфтеліп, рекомбинацияланады.

### TOPCon: эмиттер алдыңғы жағында, тесік жинау жолы өте қысқа

Алдыңғы беті p+ эмиттер болып табылады. Тесіктердің алдыңғы электродпен жиналуы үшін өте жұқа эмиттерден өтуі ғана қажет, сондықтан көптеген тесіктер «ешқашан мүмкіндік алмайды» шетіне жетуге. Сонымен қатар, p+ эмиттер / SiOx / n-poly-Si арқылы қалыптасқан күшті өріс шетінде де тиімді болып қалады, тасымалдаушыларды тез бөледі. Бұл TOPCon-ның ең аз шеттік жоғалтуға ие болуының түпкі себебі.

### SHJ: алдыңғы жағы электрондарды жинайды, тесіктер ұзақ жол жүреді

SHJ алдыңғы беті n-a-Si:H, ол электрондарды жинайды. Тесіктер жиналу үшін артқы p-a-Si:H-ке дейін диффузиялануы керек, бұл өте ұзақ жол. Жоғары өткізгіш TCO қабаты «тасжол» сияқты әрекет етіп, көптеген тесіктерді шетіне қарай бүйірлік тасымалдайды, нәтижесінде шеттік рекомбинация айтарлықтай артады.

### TBC: барлық электродтар артқы жағында, толық жойылу

TBC-де әрбір электрод артқы жағында орналасқан. Алдыңғы бетте пайда болған тасымалдаушылар жиналу үшін бүкіл пластина бойымен бүйірлік жүруі керек. Одан да жаманы, алдыңғы Al2O3 пассивация қабаты көптеген тұрақты теріс зарядты алып жүреді, Si бетінде тесіктердің жиналу қабатын индукциялайды және «тесік өткізгіш арнасын» құрайды, бұл тесіктерді шетіне қарай одан да қатты итермелейді.

Қысқаша ескерту: алдыңғы жақтағы фотоэлектрлік кернеу мінез-құлқы негізінен екі нәрсемен анықталады: «тасымалдаушыларды жинау қашықтығы» және «бүйірлік тасымалдау арнасының болуы», және бұл p-n өткелінің бағытына еш қатысы жоқ.

3-сурет. TOPCon, SHJ және TBC ұяшықтарының артқы жақ шеттік фотоэлектрлік кернеуін талдау.

3a-сурет артқы жақ шетінен лазерлік сканерлеуді көрсетеді. 3b-сурет сәйкес 2D фотоэлектрлік кернеу картасы. 2b-суретпен салыстырғанда, үш ұяшықтың да артқы жақ фотоэлектрлік кернеуі алдыңғы жақтан төмен (себебі алдыңғы бетте әдетте жақсырақ антирефлексиялық дизайн және жоғары жарық пайдалану болады). 3c-сурет қызықты нәрсені ашады: артқы жақ шетінің «жеңімпазы» TBC болады. SHJ-де артқы жағында p-n өткелі болса да, оның шеттік фотоэлектрлік кернеуі TOPCon-нан төмен, бұл «p-n өткелінің орны» шеттік жоғалтуды анықтайтын жалғыз фактор емес екенін көрсетеді. 3d-сурет артқы жақтағы азшылық тасымалдаушылардың тасымалдау механизмін көрсетеді. Артқы жақ ерекше: артқы n-poly-Si электрондардың жоғары концентрациясын ұстап тұрады, тесіктерді басатын, бірақ электрондарды жинауды ынталандыратын күшті өріс ортасын құрайды.

### TOPCon артқы жағы: тесіктердің «жылдам жолағы» басылған

Артқы n-poly-Si-дегі электрондардың жоғары концентрациясы тесіктердің тасымалдануын басады. Тесіктер жиналу үшін алдыңғы p+ эмиттерге жету үшін бүкіл n-типті c-Si субстратынан өтуі керек. Бұл "ұзақ қашықтыққа тасымалдау" артқы жақтың фотоэлектрлік кернеуін әдетте төмендетеді, бірақ ол шетіне жететін тесіктердің санын да азайтады.

### SHJ артқы жағы: гетероқосылыс күшті, бірақ TCO екі жүзді қылыш

SHJ-дің n-типті c-Si / p-a-Si:H гетероқосылысы шынымен де TOPCon-ге қарағанда күштірек тасымалдаушыларды бөлуді ұсынады, бірақ оның TCO-сы төмен бүйірлік кедергіге ие және әлі де тесіктердің едәуір бөлігін шетіне "қысқа тұйықтайды". Нәтиже: күшті бөлу қабілеті шеткі жоғалтудың аздығына тең емес.

### TBC артқы жағы: тесік HSC дәл артқы жағында, үй алаңының артықшылығы

TBC-дің артқы жағындағы HSC фототуындаған тесіктерге тікелей қарайды. Тасымалдаушылар дәл артқы жағында жиналады, сондықтан шетіне ағатындар әлдеқайда аз, ал артқы жақтың фотоэлектрлік кернеуі ең жылдам қанығады.

Жылдам ескерту: артқы жақтың фотоэлектрлік кернеуінің мінез-құлқы алдыңғы жаққа қарағанда "кері" үрдісті көрсетеді. TBC алдыңғы жағында ең нашар, бірақ артқы жағында ең жақсы, бұл "қай жағы жарыққа қарайды" дегеннің "қай жағы p-n қосылысы" дегеннен маңыздырақ екенін көрсетеді.

4-сурет. TOPCon және SHJ ұяшықтарының көлденең қимасы бойынша фотоэлектрлік кернеудің таралу моделі.

Егер 2 және 3-суреттер шетіне «бүйірден» қараса, 4-сурет оны «көлденең» кеседі. Лазер тікелей көлденең қимада сканерлейді, сондықтан сіз p-n өткелінен n-n+ дейін бүкіл электрлік мінез-құлықты бір көріністе көресіз. Бұл зерттеудің ең түпнұсқа бөлігі. 4а-сурет — TOPCon элементінің көлденең қималық фотоэлектрлік кернеу картасы, солдан оңға қарай алдыңғы жағы (p+ эмиттер / p-n өткелі) және артқы жағы (n-poly-Si / n-n+ өткелі). Сол жағы (p-n өткелі) жалпы ашық, ал оң жағы (n-n+) қараңғы екенін көруге болады. 4b-суретте алынған қисық өте айқын: p-n өткелі жағынан n-n+ жағына қарай фотоэлектрлік кернеу монотонды түрде төмендейді, бүкіл ыдырау аймағы шамамен 100 мкм. Бұл нәтиже «p-n өткелі шеткі жоғалтудың кедергісі» деген дәстүрлі көзқарасты толығымен жоққа шығарады, өйткені төмен зақымдану жағдайында p-n өткелі жағы керісінше жоғары фотоэлектрлік кернеу аймағы болып табылады. 4c-сурет физикалық себепті береді: p-n өткелі жағында (p+ эмиттер) азшылық тасымалдаушылар (тесіктер) жиналу үшін қысқа қашықтықты ғана жүреді, ал n-n+ жағында (n-poly-Si аймағы) тесіктер p+ эмиттерге жету үшін бүкіл n-типті c-Si арқылы өтуі керек, бұл рекомбинация ықтималдығы жоғары ұзақ жол, сондықтан жоғалту үлкенірек. 4d–f-суреттер SHJ элементтерінде дәл осындай үрдісті көрсетеді: артқы p-n өткелінен (p-a-Si:H / n-c-Si) алдыңғы n-n+ өткеліне (i/n-a-Si:H / n-c-Si) дейін фотоэлектрлік кернеу қайтадан монотонды түрде төмендейді. Бұл заңдылықтың әртүрлі элемент құрылымдарында сақталуы зерттеудің негізгі дәлелдерінің бірі болып табылады.

Мұны сандық түрде сипаттау үшін команда бір өлшемді азшылық тасымалдаушылар диффузия моделін шығарды. 4g-сурет — модельдің схемасы, p-n өткелі жағынан (тесік селективті контакт, HSC) ESC жағына (электрон селективті контакт, ESC) қарай монотонды түрде төмендейтін қисықты (қызғылт сары) көрсетеді. 4h-сурет HSC және ESC жақтарындағы тасымалдаушылардың мінез-құлқын одан әрі салыстырады:

- HSC жағы: азшылық тасымалдаушылар (тесіктер) қысқа қашықтықта жиналады, рекомбинация ықтималдығы төмен.
- ESC жағы: азшылық тасымалдаушылар HSC-ге жету үшін ұзақ қашықтыққа диффузиялануы керек, жол бойында қатты рекомбинацияланады.
- p-n өткелінің тасымалдаушыларды бөлу механизмі қатты легирленген контакт пен пассивтелген контакттің қосарланған артықшылығына ие, қарапайым жоғары-төмен өткелден (n-n+) тиімдірек.

Жылдам ескерту: көлденең қималық фотоэлектрлік кернеу моделі «p-n өткелі жағының электрлік өнімділігі n-n+ жағынан жоғары» екенін сандық түрде растайды және шеткі жоғалтуды бағалаудың жаңа көрсеткіші ретінде «азшылық тасымалдаушылар диффузия ұзындығы L» ұсынады.

5-сурет. Өнеркәсіптік термиялық лазерлік бөлу (TLS) әдісімен жасалған TOPCon элементінің көлденең қималық фотоэлектрлік кернеу талдауы.

45° жарылу әдісінен алынған қорытындының өнеркәсіптік кесу үшін жарамдылығын тексеру үшін команда "термиялық лазерлік бөлу" (TLS) әдісін қолданды (5а-сурет) — алдымен лазер p-n өткелі жағын алдын ала өңдейді (суреттегі Pre-grooving), содан кейін салқындату суы бөлуге көмектеседі. TLS бүгінгі таңда танылған төмен зақымдаушы кесу әдістерінің бірі. 5b-сурет — TLS кесуінен кейінгі TOPCon көлденең қимасының фотоэлектрлік кернеу бейнесі: сол жағы (p-n өткелі) оң жағынан (n-n+) айқын жарық. 5c-суреттегі сандық қисық p-n өткелінен артқы жағына қарай фотоэлектрлік кернеудің монотонды төмендейтінін көрсетеді, бұл 45° жарылу нәтижесімен толық сәйкес келеді.

Негізгі тексеру: өнеркәсіптік TLS әдісінде де (p-n өткелі жағынан тікелей кесу) фотоэлектрлік кернеу "жоғары p-n өткелі, төмен n-n+" үрдісін көрсетеді. Бұл төмен зақымдаушы кесу кезінде "p-n өткелі" мүлдем кедергі емес, керісінше артықшылық орны екенін білдіреді. Өнеркәсіптегі TLS кесуінде "p-n өткелі жағы жақсырақ" деген бұрынғы тәжірибе енді эксперимент пен теориямен расталды.

6-сурет. TBC және THBC элементтерінің көлденең қимасының фотоэлектрлік кернеу талдауы және төмен зақымдаушы p-n өткелін кесу стратегиясының схемасы.

6a және 6b-суреттер — TBC және THBC элементтерінің көлденең қимасының фотоэлектрлік кернеу бейнелері. TBC ең жоғары фотоэлектрлік кернеуге ие, 0,39 В, ал THBC сәл төмен (0,21 В), бірақ екеуінде де "жарық p-n өткелі, қараңғы n-n+" кеңістіктік таралуы айқын көрінеді. 6c және 6d-суреттерде алынған қисықтар 4-суреттегідей үлгіні ұстанады: p-n өткелінен n-n+ қарай монотонды төмендеу. Ерекше атап өту керек, 6c-суреттегі кішкене қосымша сурет: әрбір элемент құрылымының фотоэлектрлік кернеуінің "бағыттық таралуы" "жоғарғы сол жақта тығыз, төменгі оң жақта сирек" үлгісін көрсетеді, бұл p-n өткелі жағының электрлік артықшылығы құрылымдар мен процестерге ортақ екенін білдіреді. 6e-сурет артқы контактілі элементтердің ерекшелігін түсіндіреді: HSC тесіктерді артқы жағында "жақын жерден" жинайды, ал ESC электрондарды артқы жағында "жақын жерден" жинайды. p-n өткелі аймағында пайда болған азшылық тасымалдаушылар (тесіктер) HSC-ге жету үшін қысқа қашықтықты ғана жүруі керек, сондықтан шығын аз; n-n+ аймағындағы азшылық тасымалдаушылар ұзақ жол жүруге мәжбүр, сондықтан шығын көп. Бұл үлгі TOPCon және SHJ-мен дәл сәйкес келеді. Осы дәлелдерге сүйене отырып, команда 6f-суретте мүлдем жаңа кесу стратегиясын ұсынды:

### Өнеркәсіптік ұсыныс

Төмен зақымданумен кесу кезінде (мысалы, TLS) p-n өткелі жағынан кесу керек. Себебі: p-n өткелі жағында тасымалдаушыларды бөлу тиімділігі жоғары, сонымен қатар азшылық тасымалдаушылардың тасымалдау жолы қысқа. Кейбір процестік ауытқулар болса да, ол лайықты электрлік өнімділікті сақтайды. Бұл ұсыныс жиырма жылдық «p-n өткеліне тиіспеу» салалық тәжірибесін жоққа шығарады.

## Ooitech көзқарасы

Шынын айтқанда, бұл тақырыптық сипаттама емес, жол деңгейіндегі әдетті тыныш қайта жазатын жаңалықтардың бірі. N-типті желіні басқаратын кез келген адамға қорытынды: лазерлік кесу рецептіңізді ұяшықтың меншікті тасымалдаушы физикасымен жұптаңыз және ескі ереже болғандықтан, сызғышты n-n+ жағына соқыр қоймаңыз. Төмен зақымданумен бөлу (TLS стилі) мұндағы нақты мүмкіндік беруші, ал күн батареясын лазерлік кесу машинасында бұл процесті дәл реттеу - модуль өндірушілердің нақты Voc және FF ұтуы немесе жоғалтуы дәл осы жерде. Біз кесу және тігу станцияларымызды TOPCon, SHJ және BC форматтарында шеткі зақымдануды төмен ұстау үшін жасаймыз, сондықтан мұндай зерттеулер тікелей өндіріске ауысады. Бұл қадамдардың жұмыс істеп тұрған желіде қалай көрінетінін көргіңіз келсе, Ooitech YouTube арнасында [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) - қарауға тұрарлық.

---

##### Тегтер :

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp)

### Баға ұсынысын сұрау

Барлық жүктеулер қауіпсіз және құпия.

## Біз жеткіземіз сенімді сараптама біздің қызмет

Зауыттан тікелей жабдық.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg)

### Шығынды үнемдейтін артықшылықтар

Біз ерекше құндылықты ұсынамыз, нәтижелерді барынша арттыра отырып, клиенттердің бюджетін оңтайландырамыз.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg)

### Біздің тәжірибелі команда

Біздің білікті мамандар инновациялық шешімдер мен бейімделген стратегияларға маманданған.

![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg)

### 15+ жыл салалық тәжірибе

Терең сараптама сенімді, трендтерді ескеретін және дәлелденген нәтижелерді қамтамасыз етеді.

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp )

![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp)

![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png)

## Біздің клиенттеріміз не дейді біз туралы

Клиенттердің пікірлері біздің олардың қиындықтарын терең түсінетінімізді мақтайды, бұл инновациялық шешімдерге және жоғары ROI-ге әкеледі. Он жылдан астам уақытқа созылған ұзақ мерзімді ынтымақтастық олардың сенімі мен қанағаттануын көрсетеді. Олардың табыс тарихы бізді үнемі күтуден асып түсуге итермелейді. [Көбірек білу **](#quote-form)

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Зауытты жақсарту және жөндеу, сондай-ақ жұмысшыларға машиналарды қолдануды үйрету үшін көрсеткен үлкен көмегіңіз үшін тағы да көп рахмет.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp)

### Марк

BIPV Филиппин

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Толық автоматтандырылған өндірістік жабдықты ұсынғаны үшін Ooitech компаниясына рахмет — сіздің орнату және сатудан кейінгі қызметіңіз тамаша болды.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp)

### Амжад

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Үлкен жанды адам. Сіздің келуіңіз үшін көп рахмет, мырза Ву. Жабдықты орнату және студенттерімді оқыту бойынша көрсетілген қызметтер үшін көп рахмет. Ең мейірімді адам және өз саласының кәсіби маманы

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp)

### Жизақ политехникалық институты

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Ooitech компаниясына өте қолайлы BC күн батареясының эксперименттік жабдығын ұсынғаны үшін алғыс.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp)

### KTECH

![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg)

Ooitech компаниясының кәсіби қолдауы мен уақтылы қызмет көрсетуі үшін рахмет.

![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp)

### Африкадан келген Диарра

## Біздің соңғы өнімдер

![SAW-100A қабаттау және шиналау машинасы: ≤0,3% сыну](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774349342486074.webp)

- [** Rachael](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html)
- [** 19519](./automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html)

### SAW-100A қабаттау және шиналау машинасы: ≤0,3% сыну

Ooitech SAW-100A автоматты төсеу және шина жүргізу интеграцияланған машинасы жоғары тиімді ұяшық жіптерін төсеу және терминалдық шинаны дәнекерлеуді жоғары

![Өзара қосылу шинасы – Күн элементтерінің жол тоғы](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032713037538.jpg.webp)

- [** Rachael](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html)
- [** 96688](./Interconnection-Busbar-for-Solar-Module-Assembly-High-Performance-Current-Collection-Solution.html)

### Өзара қосылу шинасы – Күн элементтерінің жол тоғы

Күн модульдерін жинауға арналған премиум өзара қосылу шинасы шешімдері, жоғары тазалықтағы қалайыланған мыс құрылымымен

![Күн элементтерін қабаттау машинасы WS-CL80D: 48с цикл, ±0.1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp)

- [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html)
- [** 12228](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html)

### Күн элементтерін қабаттау машинасы WS-CL80D: 48с цикл, ±0.1mm

Ooitech WS-CL80D автоматты күн элементтерін қабаттау машинасы қос порталды қос ұстағышты тәуелсіз жұмыс істеуімен ерекшеленеді, негізгі ось 0.01мм дәлдікпен сызықтық қозғалтқышпен басқарылады

![OPT-M960B EL & VI тестері: 0.1mm/пиксель, Intel i7](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774351816741704.webp)

- [** Rachael](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html)
- [** 43507](./solar-panel-el-tester-and-vi-tester-machine-opt-m960b-m951b-m950b-ooitech-solar-module-el-testing-equipment.html)

### OPT-M960B EL & VI тестері: 0.1mm/пиксель, Intel i7

Ooitech SONY өнеркәсіптік камераларымен кәсіби күн панелінің EL тестері мен VI тестері машиналарын (OPT-M960B, OPT-M951B, OPT-M950B) ұсынады

![BD03 жақтауды желімдеу машинасы: метріне 3-4с, 2500мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506308732524.webp)

- [** Rachael](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html)
- [** 51726](./Offline-Frame-Gluing-Machine-BD03-Professional-Aluminum-Frame-Sealant-Application-System.html)

### BD03 жақтауды желімдеу машинасы: метріне 3-4с, 2500мм

BD03 CNC жақтауды желімдеу машинасы – автоматтандырылған алюминий жақтауға герметик жағу, дәл орналастыру, автоматты беру және біркелкі желім тарату

![XJCM-13A+ Күн модулінің IV тестері: A+ класы, 25с](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774506523267868.webp)

- [** Rachael](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html)
- [** 67421](./XJCM-13A2615-High-Efficiency-Solar-Module-IV-Tester-Advanced-Testing-Solution-for-PERC-HJT-TopCon-IB.html)

### XJCM-13A+ Күн модулінің IV тестері: A+ класы, 25с

XJCM-13A2615 IV тестері – A+A+A+, 2600×1500mm, PERC, HJT, TOPCon және IBC үшін 10–100ms импульс. Сыйымдылық әсерін жояды. IEC 60904-9:2020 стандартына сәйкес.